单晶硅拉晶的过程

单晶硅

单晶硅拉制过程主要是分六个步骤:

首先就是一个硅料的熔化过程——晶力的引晶过程——缩颈生长——放肩——收尾。

1、主要它是包括现在加热器跟碳碳埚帮的匹配上它的高度上的一些关键点。

2、拉晶氛围：整个的一个氛围全都是氩气保护的。

3、拉晶气流：咱们重点说一下拉近拉晶气流，就是高温的硅蒸汽是顺着热屏内胆向下流的，气流从上往下引流。从石英坩埚跟碳碳坩埚的表面走过底部然后抽走的这样一个气体的流向，所以这个流向就导致我们现在埚帮的上端部分跟热屏外胆的就是导流筒的外体部容易受这个高温硅蒸汽的腐蚀、容易掉渣，因为生成碳化硅以后在升降温的过程中它就会掉渣，另外就是热气吹什么的都会加快腐蚀。

4、拉晶温度：就是我们都知道热场还有液面，液面下的温度是越高越好，液面以上的温度是越低越好，你保证这个液面以下就是保证硅料是融化的容易结晶，以上它温度低了以后还是保证尽快的硅棒温度降下来，然后在提拉的过程中保证住它的强度这是关于温度控制。

5、热屏外胆：影响单晶硅品质的一个很重要的因素，因为他是在硅料的上端，在腐蚀的过程中，碳颗粒的脱落包括碳化硅颗粒的脱落都会掉到坩埚里面，所以热屏的质量是要求非常高的，特别是热屏外胆的底部要求做的底部的密度要做得非常高，所以我们现在也在考虑把热屏外胆的底部提前做一个抗腐蚀的碳化硅涂层，进一步提升它的抗腐蚀性能。另外就是说热屏既是一个导气的东西，它又是一个隔热的就是导流筒的存在，一个是降低晶棒的附近的温度，另外还有引导氩气流从上部往下流，所以即导流筒又叫隔热屏，这是叫法的问题。

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