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大型半导体硅单晶用热场,主要指半导体用途8英寸到12英寸的硅单晶棒生长使用的热场,主要的对比对象是太阳能用途的硅单晶热场和小尺寸半导体用途的硅单晶热场。
首先是工艺的差异,大规格半导体硅单晶的生长工艺更加复杂:
1、对于热场的纯度要求更高,热场里面的杂质会影响到晶棒的生长,导致各种问题。
2、对于热场的均匀性要求更高,包括各个物理特性在不同位置的一致性。
3、对于热场的稳定性要求更高,产品在使用过程中,如在寿命的前期、中期到末期,需要性能保持一致,不同批次的产品,性能也需要保持一致。
其次是设备的差异,大规格半导体硅单晶生长使用的设备,炉腔空间比较大。
这样热量的损失会比较大,对保温性能要求也就更高。
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